Производитель Номер продукта:
DMN60H080DS-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN60H080DS-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
48241 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888244
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN60H080DS-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100Ohm @ 60mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
25 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN60H080DS-7DIDKR
DMN60H080DS-7-DG
DMN60H080DS-7DICT
DMN60H080DS-7DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP3007SCGQ-13
MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
DMG4413LSS-13
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
DMN4010LFG-13
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333