Производитель Номер продукта:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN61D8LVT-13-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Инвентаризация:
9150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12901235
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN61D8LVT-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
630mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Мощность - Макс
820mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
TSOT-26
Базовый номер продукта
DMN61
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
DMT3022UEV-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
BSS8402DWQ-7
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363