Производитель Номер продукта:
DMN61D9UDW-13-50
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN61D9UDW-13-50-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 350mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Инвентаризация:
12994149
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN61D9UDW-13-50 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
28.5pF @ 30V
Мощность - Макс
320mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
DMN61
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN61D9UDW-13-50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
DMN52D0UVA-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
STA508A
MOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP
