Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMN62D0LFD-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN62D0LFD-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Инвентаризация:
96932 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12887675
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN62D0LFD-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
31 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
480mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X1-DFN1212-3
Упаковка / Чехол
3-UDFN
Базовый номер продукта
DMN62
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN62D0LFD-7CT-DG
DMN62D0LFD-7CT
DMN62D0LFD-7TR-DG
DMN62D0LFD-7DICT
DMN62D0LFD-7TR
DMN62D0LFD-7DKR
DMN62D0LFD-7DKR-DG
DMN62D0LFD-7DITR
DMN62D0LFD-7DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVN0545ASTOA
MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
DMN3112S-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMG4710SSS-13
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
DMN2026UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26