Производитель Номер продукта:
DMN62D0SFD-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN62D0SFD-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Инвентаризация:
19612 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949608
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
FK9f
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN62D0SFD-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
540mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
30.2 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
430mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X1-DFN1212-3
Упаковка / Чехол
3-UDFN
Базовый номер продукта
DMN62
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN62D0SFD-7DICT
DMN62D0SFD-7DITR
DMN62D0SFD-7DIDKR
DMN62D0SFD7
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZVNL110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
BSS84TC
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
DMP3056LVT-13
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
