DMN62D1LFD-7
Производитель Номер продукта:

DMN62D1LFD-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN62D1LFD-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3

Инвентаризация:

25148 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12883479
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN62D1LFD-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.55 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X1-DFN1212-3
Упаковка / Чехол
3-UDFN
Базовый номер продукта
DMN62

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN62D1LFD-7DIDKR
DMN62D1LFD-7DITR
DMN62D1LFD-7DICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMTH6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

diodes

DMN30H4D0L-13

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23

diodes

DMN3731U-13

MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23

diodes

DMTH4007LPS-13

MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060