Производитель Номер продукта:
DMN65D8LFB-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN65D8LFB-7B-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Инвентаризация:
465904 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891813
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN65D8LFB-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
25 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
430mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X1-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-UFDFN
Базовый номер продукта
DMN65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN65D8LFB-7BDICT
DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
DMN65D8LFB-7BDIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP56D0UFB-7B
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMN31D6UT-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
