Производитель Номер продукта:
DMN65D8LQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN65D8LQ-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
41570 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888882
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN65D8LQ-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
370mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN65D8LQ-7DIDKR
DMN65D8LQ-7DITR
DMN65D8LQ-7DICT
DMN65D8LQ-7-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
DMN3009SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
DMN3009SFG-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
