DMN67D8LT-13
Производитель Номер продукта:

DMN67D8LT-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN67D8LT-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Подробное описание:
N-Channel 60 V 210mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Инвентаризация:

12888182
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN67D8LT-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
821 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
260mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523
Упаковка / Чехол
SOT-523
Базовый номер продукта
DMN67

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMN67D8LT-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN67D8LT-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP1009UFDFQ-7

MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN

diodes

DMN31D5UFZ-7B

MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN

diodes

DMT36M1LPS-13

MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8

diodes

DMT6007LFG-13

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333