DMN80H2D0SCTI
Производитель Номер продукта:

DMN80H2D0SCTI

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN80H2D0SCTI-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Инвентаризация:

12883063
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN80H2D0SCTI Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1253 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
DMN80

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

diodes

2N7002H-13

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

diodes

DMN6140LQ-13

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

diodes

DMP1012UCB9-7

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9