DMNH6011LK3-13
Производитель Номер продукта:

DMNH6011LK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMNH6011LK3-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

12901015
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMNH6011LK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3077 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMNH6011

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN10H170SVT-7

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

diodes

DMT68M8LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM2302CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23

diodes

DMP3098L-7

MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3