Производитель Номер продукта:
DMNH6035SPDW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMNH6035SPDW-13-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 33A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Инвентаризация:
12888802
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMNH6035SPDW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
879pF @ 25V
Мощность - Макс
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type R)
Базовый номер продукта
DMNH6035
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMNH6035SPDW-13DI-DG
31-DMNH6035SPDW-13TR
DMNH6035SPDW-13DI
31-DMNH6035SPDW-13CT
31-DMNH6035SPDW-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG6898LSD-13
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
DMC62D0SVQ-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
DMP2060UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
