DMP1011LFVQ-13
Производитель Номер продукта:

DMP1011LFVQ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMP1011LFVQ-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Подробное описание:
P-Channel 12 V 13A (Ta), 19A (Tc) 1.05W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентаризация:

12978677
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMP1011LFVQ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.5 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
-6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
913 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.05W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMP1011

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMP1011LFVQ-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMP1011LFVQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMP1011LFVQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP2110UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

nxp-semiconductors

BUK964R2-55B/C

N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

microchip-technology

APT9M100S/TR

MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268

diodes

DMN6010SCTBQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R