DMP213DUFA-7B
Производитель Номер продукта:

DMP213DUFA-7B

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMP213DUFA-7B-DG

Описание:

MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
Подробное описание:
P-Channel 25 V 145mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Инвентаризация:

12895488
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMP213DUFA-7B Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
145mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
-8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
27.2 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN0806-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMP213

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

diodes

DMTH4008LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMTH10H025LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

diodes

DMTH6010SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060