DMPH1006UPS-13
Производитель Номер продукта:

DMPH1006UPS-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMPH1006UPS-13-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
Подробное описание:
P-Channel 12 V 80A (Tc) 3.2W Surface Mount PowerDI5060-8

Инвентаризация:

2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12897075
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMPH1006UPS-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
124 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6334 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMPH1006

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMPH1006UPS-13-DG
31-DMPH1006UPS-13TR
31-DMPH1006UPS-13CT
31-DMPH1006UPS-13DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60N900CH C5G

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251

diodes

DMT6009LFG-13

MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM13N50ACI C0G

MOSFET N-CH 500V 13A ITO220AB

taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN