Производитель Номер продукта:
DMPH16M1UPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMPH16M1UPSW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Подробное описание:
N-Channel 12 V 96A (Tc) 1.95W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
12993067
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMPH16M1UPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
164 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5392 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.95W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMPH16
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMPH16M1UPSW-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H032SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMN31D5UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
ISC015N04NM5ATMA1
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8