Производитель Номер продукта:
DMT10H009LCG-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H009LCG-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 47A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Инвентаризация:
3142 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884755
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H009LCG-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12.4A (Ta), 47A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2309 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
V-DFN3333-8 (Type B)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMT10H009LCG-7TR
31-DMT10H009LCG-7CT
DMT10H009LCG-7DI
DMT10H009LCG-7DI-DG
31-DMT10H009LCG-7DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP26M7UFG-7
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
DMTH69M8LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
DMP4015SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A TO252
