Производитель Номер продукта:
DMT10H009SPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H009SPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
2026 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884928
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H009SPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT10H009SPS-13TR
DMT10H009SPS-13DI-DG
31-DMT10H009SPS-13CT
DMT10H009SPS-13DI
31-DMT10H009SPS-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH41M8SPS-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
DMN3025LSS-13
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
DMT10H015LCG-7
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
