Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMT10H010SPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H010SPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10.7A (Ta), 113A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
2400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12882242
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H010SPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.7A (Ta), 113A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4468 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMT10H010SPS-13
HTML Спецификация
DMT10H010SPS-13-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT10H010SPS-13DIDKR
DMT10H010SPS-13DICT-DG
DMT10H010SPS-13DITR
DMT10H010SPS-13DITR-DG
DMT10H010SPS-13DIDKR-DG
31-DMT10H010SPS-13CT
DMT10H010SPS-13DICT
31-DMT10H010SPS-13DKR
31-DMT10H010SPS-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSZ097N10NS5ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
19692
Номер части
BSZ097N10NS5ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.72
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN62D1LFD-13
MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
DMP3165L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
2N7002-7-G
MOSFET N-CH 60V SOT23-3
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23