Производитель Номер продукта:
DMT10H014LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H014LSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 100 V 8.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
7280 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884669
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H014LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT10H014LSS-13DKR
DMT10H014LSS-13-DG
31-DMT10H014LSS-13TR
31-DMT10H014LSS-13CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT4011LFG-13
MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
PSMN3R5-80PS,127
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
DMT4011LSS-13
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
