DMT10H017LPD-13
Производитель Номер продукта:

DMT10H017LPD-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT10H017LPD-13-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Инвентаризация:

2475 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12895307
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT10H017LPD-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
54.7A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28.6nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1986pF @ 50V
Мощность - Макс
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Базовый номер продукта
DMT10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT10H017LPD-13DKR
31-DMT10H017LPD-13TR
DMT10H017LPD-13-DG
31-DMT10H017LPD-13CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMNH6065SPDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50

diodes

DMP2066LSD-13

MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM500P02DCQ RFG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM8588CS RLG

MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/5A 8SOP