DMT10H025SK3-13
Производитель Номер продукта:

DMT10H025SK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT10H025SK3-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Подробное описание:
N-Channel 100 V 41.2A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884430
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT10H025SK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1544 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMT10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT10H025SK3-13TR
31-DMT10H025SK3-13CT
31-DMT10H025SK3-13DKR
DMT10H025SK3-13-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN3110LCP3-7

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

diodes

DMPH4023SK3-13

MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R

diodes

2N7002Q-7-F

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

diodes

DMP4013SPS-13

MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060