DMT10H032SFVW-7
Производитель Номер продукта:

DMT10H032SFVW-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT10H032SFVW-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентаризация:

12978640
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT10H032SFVW-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
544 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMT10H032SFVW-7TR
31-DMT10H032SFVW-7DKR
31-DMT10H032SFVW-7CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT10H9M9LK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

diodes

DMTH48M3SFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMT10H032LFDF-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020