DMT10H052LFDF-7
Производитель Номер продукта:

DMT10H052LFDF-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT10H052LFDF-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Подробное описание:
N-Channel 100 V 5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете
12978749
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT10H052LFDF-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
258 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
DMT10H052LFDF

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT10H052LFDF-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
diodes

DMP3045LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMT6015LFVW-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH6016LFVWQ-13-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMN3060LW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R