Производитель Номер продукта:
DMT10H072LFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H072LFDF-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889056
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H072LFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
266 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT10H072LFDF-7CT
31-DMT10H072LFDF-7DKR
31-DMT10H072LFDF-7TR
DMT10H072LFDF-7-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2320UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
BSS123ATC
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMPH4029LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
