DMT10H075LE-13

Производитель Номер продукта:

DMT10H075LE-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT10H075LE-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&

Подробное описание:

N-Channel 100 V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

13242604

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

DMT10H075LE-13 Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Diodes Incorporated

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Серия

-

Статус продукта

Active

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

100 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

65mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

4.5 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

228 pF @ 50 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.4W (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

SOT-223-3

Упаковка / Чехол

TO-261-4, TO-261AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

DMT10H075LE-13-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет

2,500

Другие названия

31-DMT10H075LE-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Статус REACH

REACH Unaffected

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

diodes

DMTH43M8LFVW-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH43M7LFG-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH62M7SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMT62M7SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506