Производитель Номер продукта:
DMT10H4M5LPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT10H4M5LPS-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Подробное описание:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
12895726
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT10H4M5LPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT10H4M5LPS-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM8N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
