Производитель Номер продукта:
DMT12H090LFDF4-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT12H090LFDF4-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Подробное описание:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
Инвентаризация:
13270141
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT12H090LFDF4-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
115 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
251 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
900mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN2020-6
Упаковка / Чехол
6-PowerXDFN
Базовый номер продукта
DMT12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMT12H090LFDF4-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT12H090LFDF4-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMT12H090LFDF4-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.29
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
XP235N2001TR-G
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
XP262N7002TR-G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
XP234N0801TR-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23