Производитель Номер продукта:
DMT31M7LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT31M7LSS-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Подробное описание:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 78A (Tc) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12979014
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT31M7LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta), 78A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5492 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta), 5.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT31M7LSS-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3016LFDF-7-90
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN62D4LFB-7B
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
FCPF380N65FL1-F154
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3