Производитель Номер продукта:
DMT35M4LFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT35M4LFDF-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Подробное описание:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 860mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
4455 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT35M4LFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
860mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT35M4LF
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT35M4LFDF-7DKR
31-DMT35M4LFDF-7CT
31-DMT35M4LFDF-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H009LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
BSS123Q-13
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
NTMT061N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
