Производитель Номер продукта:

DMT35M4LFDF4-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT35M4LFDF4-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020

Подробное описание:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12978706

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

DMT35M4LFDF4-7 Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Diodes Incorporated

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Серия

-

Статус продукта

Active

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

14.9 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1009 pF @ 15 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

910mW (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

X2-DFN2020-6 (Type W)

Упаковка / Чехол

6-PowerXDFN

Базовый номер продукта

DMT35M4LF

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет

3,000

Другие названия

31-DMT35M4LFDF4-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

IRL530PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB

STP270N8F7W

MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB

diodes

DMT3020LFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

diodes

DMP3028LFDEQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-