Производитель Номер продукта:
DMT35M4LFVW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT35M4LFVW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 60A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Инвентаризация:
12985739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT35M4LFVW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
982 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT35M4LF
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT35M4LFVW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT35M4LFVW-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2000
Номер части
DMT35M4LFVW-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA15N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
DMPH4013SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
BUK9M31-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L