DMT35M7LFV-7
Производитель Номер продукта:

DMT35M7LFV-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT35M7LFV-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
Подробное описание:
N-Channel 30 V 76A (Tc) 1.98W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Инвентаризация:

2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12896171
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
ynqe
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT35M7LFV-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1667 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.98W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT35

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT3003LFGQ-7

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

diodes

DMN3033LSNQ-7

MOSFET N-CH 30V 6A SC59

taiwan-semiconductor

TSM150P03PQ33 RGG

MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM033NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN