Производитель Номер продукта:
DMT6012LFV-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6012LFV-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 60 V 43.3A (Tc) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Инвентаризация:
12884294
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6012LFV-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT6012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
DMT6012LFV-7DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
CSD18543Q3AT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10097
Номер части
CSD18543Q3AT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.54
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP1011UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
DMN30H14DLY-13
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
DMTH4004LK3-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
