Производитель Номер продукта:
DMT6012LPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6012LPSW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Подробное описание:
N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
12978514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6012LPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT6012LPSW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2053UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
BSS123K-13
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
DMP3056LDMQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
