Производитель Номер продукта:
DMT6013LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6013LSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
12884140
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6013LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1081 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMT6013
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT6013LSS-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2080UCB4-7
MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
DMG3414UQ-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
