Производитель Номер продукта:
DMT6016LPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6016LPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 1.23W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
3650 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884855
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6016LPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
864 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.23W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT6016
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT6016LPS-13DIDKR-DG
DMT6016LPS-13DITR
31-DMT6016LPS-13TR
31-DMT6016LPS-13CT
DMT6016LPS-13DIDKR
DMT6016LPS-13DITR-DG
DMT6016LPS-13DICT
DMT6016LPS-13DICT-DG
31-DMT6016LPS-13DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH6010SCT
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
DMN2024U-13
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
DMTH6010SK3-13
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252