Производитель Номер продукта:
DMT6016LPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6016LPSW-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 60 V 11.2A (Ta), 43A (Tc) 2.84W (Ta), 41.67W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
12949701
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6016LPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.2A (Ta), 43A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
864 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMT6016
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT6016LPSW-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
DMTH6005LK3-13
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
TSM22P10CI C0G
MOSFET P-CH 100V 22A ITO220
