Производитель Номер продукта:
DMT6017LFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6017LFDF-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 65 V 8.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
13270100
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6017LFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
65 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
891 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMT6017
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMT6017LFDF-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMP2110UW-7
MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
