Производитель Номер продукта:
DMT68M8LFV-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT68M8LFV-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 60 V 54.1A (Tc) 2.7W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Инвентаризация:
12901254
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT68M8LFV-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
54.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2078 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 41.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT68
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMT68M8LFV-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT68M8LFV-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1588
Номер части
DMT68M8LFV-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3033LSNQ-13
MOSFET N-CH 30V 6A SC59
DMN60H3D5SK3-13
MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
