Производитель Номер продукта:
DMT68M8LSS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT68M8LSS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 60 V 28.9A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
2302 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888467
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT68M8LSS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2107 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMT68
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT68M8LSS-13-DG
31-DMT68M8LSS-13CT
31-DMT68M8LSS-13DKR
31-DMT68M8LSS-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH62M8SPS-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
DMN53D0LQ-13
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
BUK7Y7R8-80EX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
