Производитель Номер продукта:
DMT8008SK3-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT8008SK3-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Подробное описание:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
13000396
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT8008SK3-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMT8008
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMT8008SK3-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMNH15H110SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G10N03S
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
PSMP075N15NS1_T0_00601
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
