DMT8012LFG-7
Производитель Номер продукта:

DMT8012LFG-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT8012LFG-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Инвентаризация:

5045 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888737
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT8012LFG-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMT8012

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
DMT8012LFG-7DICT
DMT8012LFG-7DIDKR
DMT8012LFG-7DITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT3004LFG-13

MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

diodes

DMP510DLW-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R

diodes

DMNH6042SK3-13

MOSFET N-CH 60V 25A TO252

diodes

DMG9N65CT

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB