DMT8012LK3-13
Производитель Номер продукта:

DMT8012LK3-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT8012LK3-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Подробное описание:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Инвентаризация:

7115 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12896424
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMT8012LK3-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMT8012

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMT8012LK3-13DITR
DMT8012LK3-13DICT
DMT8012LK3-13DIDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM5NC50CF C0G

MOSFET N-CH 500V 5A ITO220S

diodes

DMTH6016LFVWQ-13

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333

diodes

DMTH10H025LPSQ-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP1055USW-13

MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363