Производитель Номер продукта:
DMTH10H003SPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH10H003SPSW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Подробное описание:
N-Channel 100 V 166A (Tc) 2.6W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Инвентаризация:
2415 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978526
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH10H003SPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
166A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5542 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.6W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type Q)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH10H003SPSW-13CT
31-DMTH10H003SPSW-13DKR
31-DMTH10H003SPSW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH47M2SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMP510DLQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R