Производитель Номер продукта:
DMTH10H015SK3-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH10H015SK3-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Подробное описание:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
13000659
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH10H015SK3-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2343 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
DMTH10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH10H015SK3-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMTH10H015SK3Q-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMTH10H015SK3Q-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.39
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN6066SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMTH10H2M5STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMP2037U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
