Производитель Номер продукта:
DMTH10H4M5LPS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH10H4M5LPS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Подробное описание:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
12949481
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH10H4M5LPS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMTH10H4M5LPS-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP1012UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
DMP6250SFDF-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
