Производитель Номер продукта:
DMTH15H017LPSW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH15H017LPSW-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Подробное описание:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 1.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12994054
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH15H017LPSW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3369 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type UX)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
DMTH15
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH15H017LPSW-13DKR
31-DMTH15H017LPSW-13CT
31-DMTH15H017LPSW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G080P06T
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IMT65R048M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
