Производитель Номер продукта:
DMTH31M7LPSQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH31M7LPSQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Инвентаризация:
12979261
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH31M7LPSQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5741 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta), 113W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMTH31M7LPSQ-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCP25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
DMP68D0LFB-7B
MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
NVMFS4C308NWFT1G
TRENCH 30V NCH
