DMTH4014LFVWQ-7
Производитель Номер продукта:

DMTH4014LFVWQ-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH4014LFVWQ-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Подробное описание:
N-Channel 40 V 11.5A (Ta), 49.8A (Tc) 3.1W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Инвентаризация:

1515 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986615
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH4014LFVWQ-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
750 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMTH4014LFVWQ-7CT
31-DMTH4014LFVWQ-7DKR
31-DMTH4014LFVWQ-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G02P06

P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2

wolfspeed

C3M0120065J

650V 120M SIC MOSFET

vishay-siliconix

SQJA82EP-T1_BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

onsemi

FDC6N50NZFTM

FDC6N50NZFTM